產品應用
在半導體封裝技術,特別是在扇出型晶圓級封裝(Fan-Out Wafer-Level Packaging,FOWLP)和重分佈製程(Redistribution Layer Process,RDL)中,PSPBO作為一種光阻材料,在層間介電材料、應力緩衝層和保護層的應用發揮著重要作用。在這些先進製程中,PSPBO的低熱膨脹係數有助於提高晶片在溫度波動下的穩定性,其高機械強度增強了晶片在物理壓力下的耐用性,而低介電常數則確保了在高速資料傳輸過程中的低信號損耗。這些特性綜合作用,大大提升了晶片在各種環境條件下的性能和長期可靠性。
產品特色
• 低溫固化
• 低熱膨脹係數
• 高顯影解析度:膜厚/via=5um/5um , 10um/10um
• 低介電損失:Df <0.01@10GHz
• 水性溶劑顯影
• 優異耐化性:能有效抵抗多種有機溶劑、無機酸、鹼溶液的侵蝕
產品特性
測試項目 | 單位 | WLPT01-B | |
曝光/顯影 /解析度 | 曝光能量(Exposure dose) | mJ/cm2 | 350~550 |
顯影液 (Developer) | - | 2.38% TMAH | |
解析度(Resolution) 膜厚/via | um | 10/5 ; 10/10 | |
固化條件 | 固化溫度(Cure temperature) | ℃ | 250~300 |
熱性質 | 玻璃轉移溫度(Tg) | ℃ | >300 |
熱膨脹係數(CTE) | ppm/K | <55 |
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